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IXKF 40N60SCD1
I D
[A]
240
I D = f (V DS ); T J = 25°C
t P = 10 μs, V GS
I D
[A]
140
I D = f (V DS ); T J = 150°C
t P = 10 μs, V GS
4V
V DS [V]
Fig. 7 Typical output characteristic
(MOSFET only)
V DS [V]
Fig. 8 Typical output characteristic
(MOSFET only)
R DS(on) = f (T J )
I D = 47 A, V GS = 10 V
4V
R DS(on) = f (I D )
T J = 150°C, V GS
R DS(on)
[ ? ]
140
T J [°C]
Fig. 9 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
(MOSFET only)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
R DS(on)
[ ? ]
I D [A]
Fig. 10 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
(MOSFET only)
140
20110201b
5-7
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